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    Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei einer niedrigen Temperatur bereitzustellen, die eine hohe dielektrische Konstante εr, einen hohen Q-Wert und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten τf der Resonanzfrequenz aufweist. Die dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigen Temperaturen umfasst eine Hauptzusammensetzung von x · BaO - y · TiO2 - z1 · Nd2O3 - z2 · La2O3 - z3 · Sm2O3 - t · Bi2O3 (x + y + z1 + z2 + z3 + t = 1; 0,070 ≦ x ≦ 0,300; 0,385 ≦ y ≦ 0,844; 0,010 ≦ z1 ≦ 0,130; 0,000 ≦ z2 ≦ 0,120; 0,000 ≦ z3 ≦ 0,120; 0,075 < t ≦ 0,185), und eine Glaskomponente, die 0,1 Gew.-% oder mehr B2O3 in einer Menge von 0,05 bis 20 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung, umfasst.
    公开号:DE102004010163A1
    申请号:DE102004010163
    申请日:2004-03-02
    公开日:2004-09-16
    发明作者:Takeshi Nagoya Oobuchi；Tadashi Nagoya Otagiri
    申请人:NGK Insulators Ltd；
    IPC主号:C04B35-46
    专利说明:
    [0001] Die Anmeldung beansprucht die Priorität der JapanischenPatentanmeldungen P2003-56718, eingereicht am 4. März 2003und 2003-420051, eingereicht am 17. Dezember 2003, deren Inhalthiermit durch Verweis eingeschlossen wird.
    [0002] Die vorliegende Erfindung beziehtsich auf ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan mit einer hohendielektrischen Konstante ε rund auf ein elektronisches Teil unter Verwendung eines derartigenPorzellans.
    [0003] In Hochfrequenzschaltungsfunkinstrumenten,wie etwa Mobiltelefonen, werden Oberfilter, Zwischenfilter, lokaleFilter etc. als Hochfrequenzschaltungsfilter verwendet, und eindielektrischer Filter vom laminierten Typ wird als ein Zwischenfilterverwendet.
    [0004] Um einen dielektrisch laminiertenFilter herzustellen, werden eine Mehrzahl von Grünblättern aus einem pulverförmig keramischenMaterial hergestellt, um ein dielektrisches abzubauen, und ein gegebenes Elektrodenmusterwird auf jedem der Grünblätter ausgebildet,indem mit einer gegebenen leitenden Paste bedruckt wird. Ein Laminatwird dann erhalten, indem die resultierenden Grünblätter laminiert werden, unddas Laminat wird gebrannt, so dass die leitenden Pastenschichtenund die Grünblätter gleichzeitiggebrannt werden, um das Laminat zu verdichten.
    [0005] Zu dieser Zeit wird im Allgemeinenein metallischer Leiter mit einer niedrigen Schmelzpunkt, wie etwa einauf Silber basierender Leiter, ein auf Kupfer basierender Leiteroder ein auf Nickel basierender Leiter für die Elektrode verwendet.Die Schmelzpunkte sind zum Beispiel 1100°C oder niedriger. Ag besitztein Schmelzpunkt von ungefähr950 bis 960°C.Aus diesem Grund muss das Dielektrikum bei einer Brenntemperaturgesintert werden, die niedriger als der Schmelzpunkt des Metallsist, das die Elektrode zusammensetzt.
    [0006] Die Anmelderin hat eine dielektrischeZusammensetzung zum Brennen bei einer niedrigen Temperatur in derJapanischen Patentanmeldung H5-319922A offenbart.
    [0007] Es ist in letzter Zeit gefordertworden, elektronische Teile weiter zu miniaturisieren und so diedielektrische Konstante ε reiner dielektrischen Porzellanzusammensetzung weiter zu verbessern.Zum Beispiel ist die untere Grenze von Abmessungen eines erhältlichendielektrischen Laminatfilters 2,0 mm × 1,25 mm, wenn die dielektrischeZusammensetzung eine dielektrische Konstante von 80 besitzt. Wenneine dielektrische Porzellanzusammensetzung mit eine dielektrischenKonstante von 110 oder höherverwendet wird, könnendie unteren Grenzen der Abmessungen des Filters auf 1,6 mm × 0,8 mmverringert werden.
    [0008] Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindungist es, eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei einerNiedrigtemperatur bereit zu stellen, die eine hohe dielektrischeKonstante ε r,einen hohen Q-Wert, und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten τf der Resonanzfrequenzaufweist.
    [0009] Ein erster Aspekt der vorliegendenErfindung stellt eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen beiniedrigen Temperaturen bereit, die eine Hauptzusammensetzung vonx· BaO – y·TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3·Sm2O3 – t· Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,070 ≤ x ≤ 0,300; 0,385 ≤ y ≤ 0,844; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,130; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,075 < t ≤ 0,185), undeine Glaskomponente, die 0,1 Gewichtprozent oder mehr B2O3 in einer Menge von 0,05 bis 20 Gewichtsteilenauf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung umfasst.
    [0010] Ein zweiter Aspekt der vorliegendenErfindung stellt ferner eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennenbei niedrigen Temperaturen bereit, die eine Hauptzusammensetzungvon x·BaO – y·TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3·Sm2O3 – t·Bi2O3(x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,070 ≤ x ≤ 0,300; 0,385 ≤ y ≤ 0,844; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,130; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,075 < t ≤ 0,185) undB2O3 in einer Mengevon 0,05 bis 10 Gewichtsteile auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung.
    [0011] Die ersten und zweiten Aspekte sindbezüglichder Hauptzusammensetzungen gleich.
    [0012] Ein dritter Aspekt der vorliegendenErfindung stellt eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen beiniedrigen Temperaturen bereit, die eine Hauptzusammensetzung vonx BaO – y·TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3· – Sm2O3 – t· Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,100 ≤ x ≤ 0,250; 0,600 ≤ y ≤ 0,750; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,010 ≤ (z1 + z2+ z3) ≤ 0,120;0,065 ≤ t ≤ 0,075; 0,35 ≤ t/(z1 + z2+ z3 + t), und eine Glaskomponente, 0,1 Gew.-% oder mehr B2O3 in einer Mengevon 0,05 bis 20 Gewichtsteile auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzungumfasst.
    [0013] Ein vierter Aspekt der vorliegendenErfindung stellt eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennenbei niedrigen Temperaturen bereit, die eine Hauptzusammensetzungvon x· BaO – y·TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3· – Sm2O3 – t· Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,100 ≤ x ≤ 0, 250; 0,600 ≤ y ≤ 0,750; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,010 ≤ (z1 + z2+ z3) ≤ 0,120;0,065 t ≤ 0,075; 0, 35 ≤ t/(z1+ z2 + z3 + t) und B2O3 ineiner Menge von 0,05 bis 10 Gewichtsteile auf 100 Gewichtsteileder Hauptzusammensetzung umfasst.
    [0014] Die dritten und vierten Aspekte sindbezüglichder Hauptzusammensetzung gleich.
    [0015] Die vorliegende Erfindung stelltferner ein elektronisches Teil bereit, was jeweils die dielektrischenZusammensetzungen zum Brennen bei niedrigen Temperaturen gemäß den erstenbis vierten Aspekten der vorliegenden Erfindung aufweist.
    [0016] Die vorliegende Erfindung stellteine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei einer niedrigen Temperaturbereit, die eine hohe dielektrische Konstante (ε r), einen hohen Q-Wert, τf (einenniedrigen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz) aufweist,und durch Brennen bei einer niedrigen Temperatur hergestellt werdenkann. Typischerweise kann die dielektrische Konstante ε r auf 110oder mehr verbessert werden, Q kann auf 200 oder mehr verbessertwerden, und der absolute Wert von τf kann auf 50 oder weniger verringertwerden.
    [0017] Diese und andere Aufgaben, Merkmaleund Vorteile der Erfindung werden beim Lesen der folgenden Beschreibungder Erfindung gewürdigtwerden, wenn in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen genommen,wobei verstanden werden muss, dass einige Modifikationen, Variationenund Änderungendesselben durch den Fachmann gemacht werden könnten.
    [0018] Die Hauptzusammensetzung in den erstenund zweiten Aspekten der Erfindung sind jeweils gleich, und werdennachstehend beschrieben werden.
    [0019] Das Verhältnis „x" von BaO wird auf 0,070 oder höher und0,300 oder niedriger in der Hauptzusammensetzung eingestellt. Diedielektrische Konstante εrkann verbessert werden, indem „x" auf 0,070 oder höher erhöht wird.Aus diesem Grund wird „x" auf 0,070 oder höher undweiter bevorzugte auf 0,100 oder höher eingestellt. Der Q-Wert kann verbessertwerden und τfkann verringert werden, in dem „x" auf 0,300 oder niedriger verringertwird. Aus diesem Grund wird „x" auf 0,300 oder niedrigereingestellt, und weiter bevorzugt auf 0,250 oder niedriger.
    [0020] Das Verhältnis „y" von TiO2 wirdauf 0,385 oder höherund 0,844 oder niedriger in der Hauptzusammensetzung eingestellt.Der „Q" Wert kann verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem „y" auf 0,385 oder höher erhöht wird.Aus diesem Grund wird „y" auf 0,385 oder höher eingestellt,und kann vorzugsweise 0,390 oder höher betragen. Die dielektrischeKonstante εrkann verbessert werden, indem „y" auf 0,844 oder niedrigerverringert wird. Aus diesem Grund wird „y" auf 0,844 oder niedriger eingestelltund kann vorzugsweise 0,800 oder niedriger betragen.
    [0021] Das Verhältnis „z1" von Nd2O3 wird auf 0,010 oder höher und 0,130 oder niedrigereingestellt. Die dielektrische Konstante εr kann verbessert werden, indem „z1" auf einen Wert ineinem Bereich von 0,010 bis 0,130 eingestellt wird. Aus diesem Grundkann „z1" vorzugsweise 0,030oder höherbetragen und beträgt 0,130oder niedriger.
    [0022] Das Verhältnis „t" von Bi2O3 wird höherals 0,075 und 0,185 oder niedriger in der Hauptzusammensetzung eingestellt.Die dielektrische Konstante εrkann verbessert werden, indem „x" auf einen Wert erhöht wird, der0,075 übersteigt.Aus diesem Grund kann „z" vorzugsweise 0,0751oder höherund weiter bevorzugt 0,076 oder höher betragen. Ferner kann der „Q" Wert verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem „t" auf 0,185 oder niedrigereingestellt wird. Aus diesem Grund wird „t" auf 0,185 oder niedriger eingestellt,und kann vorzugsweise 0,160 oder niedriger betragen.
    [0023] Das Verhältnis „z2" von La2O3 wird auf 0,120 oder niedriger eingestellt.Die dielektrische Konstante εr kannferner verbessert werden, in dem La2O3 zugegeben wird. Ferner kann die „Q" Wert verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem „z2" auf 0,120 oder niedrigereingestellt wird. Aus diesem Grund wird „z2" auf 0,120 oder niedriger eingestellt,und kann vorzugsweise 0,100 oder niedriger betragen.
    [0024] Das Verhältnis „z3" von Sm2O3 wird auf 0,120 oder niedriger eingestellt.Die dielektrische Konstante εr undde „Q" Wert kann verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem Sm2O3 in einer Menge von 0,120 oder niedrigerzugegeben wird. Aus diesem Grund wird „z3" auf 0,120 oder niedriger eingestellt,und kann vorzugsweise 0,100 oder niedriger betragen.
    [0025] Die Hauptzusammensetzung in den drittenund vierten Aspekten der Erfindung sind jeweils gleich, und werdennachstehend beschrieben werden.
    [0026] Das Verhältnis „x" von BaO wird auf 0,100 oder höher und0,250 oder niedriger in der Hauptzusammensetzung eingestellt. Diedielektrische Konstante εrkann verbessert werden, indem „x" auf 0,100 oder höher erhöht wird.Aus diesem Grund kann „x" vorzugsweise 0,150oder höherbetragen. Der „Q" Wert kann verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem „x" auf 0,250 oder niedrigerherabgesetzt wird. Aus diesem Grund kann „x" vorzugsweise 0,200 oder niedriger sein.
    [0027] Das Verhältnis „y" von TiO2 wirdauf 0,600 oder höherund 0,750 oder niedriger in der Hauptzusammensetzung eingestellt.Der „Q" Wert kann verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem „y" auf 0,600 oder höher erhöht wird.Aus diesem Grund kann „X" vorzugsweise 0,640oder höherbetragen. Die dielektrische Konstante εr kann verbessert werden, indem „y" auf 0,750 oder niedrigerverringert wird. Aus diesem Grund kann „y" vorzugsweise 0,720 oder niedriger betragen.
    [0028] Das Verhältnis „z1" von Nd2O3 wird auf 0,010 oder höher und 0,120 oder niedrigereingestellt. Die dielektrische Konstante εr kann verbessert werden, indem „z1" auf 0,120 oder niedrigereingestellt wird. τfkann verringert werden, indem „z1" auf 0,010 oder höher erhöht wird. „z1" kann vorzugsweise0,030 oder höherbetragen.
    [0029] Das Verhältnis „z2" von La2O3 wird auf 0,120 oder niedriger eingestellt.Die dielektrische Konstante εr kannferner verbessert werden, in dem La2O3 zugegeben wird. Der „Q" Wert kann verbessert werden und τf kann verringertwerden, indem „z2" auf 0,120 oder niedrigerverringert wird.
    [0030] Das Verhältnis „z3" von Sm2O3 wird auf 0,120 oder niedriger eingestellt.Der „Q" Wert und dielektrische Konstante εr können verbessertwerden und τfkann verringert werden, indem Sm2O3 in einer Menge von 0,120 oder niedrigerzugegeben wird.
    [0031] (z1 + z2 + z3) wird auf 0,010 oderhöher und0,120 oder niedriger eingestellt, so dass die dielektrische Konstante εr verbessertwerden kann.
    [0032] Das Verhältnis „t" von Bi2O3 wird auf 0,065 oder höher und 0,075 oder niedrigerin der Hauptzusammensetzung eingestellt. Es ist herausgefunden worden,dass die dielektrische Konstante εrnur verbessert werden kann, wenn t/(z1 + Z2 + z3) 0,35 oder höher beträgt, vorausgesetztdas „t" 0,75 oder niedrigerbeträgt. Esist herausgefunden worden, dass der Q-Wert herabgesetzt wird, wenn „t" niedriger als 0,065ist, vorausgesetzt, dass t/(z1 + z2 + z3) 0,35 oder höher beträgt. Es istauch herausgefunden worden, dass die dielektrische Konstante εr verringertwird, wenn t/(z1 + z2 + z3) niedriger als 0,35 ist, vorausgesetzt,dass „t" in einem Bereichvon 0,065 bis 0,075 ist.
    [0033] Gemäß den ersten und dritten Aspektender vorliegenden Erfindung wird eine Glaskomponente, die 0,1 Gew.-oder mehr B2O3 enthält, mitder Hauptzusammensetzung in einer Menge von 0,05 bis 20 Gewichtsteilenauf 100 Gewichtsteile Hauptzusammensetzung vermischt. Das Porzellankann erhalten werden, indem bei einer niedrigen Temperatur gesintertwird, in dem 0,1 Gew.-% oder mehr B2O3 in die Glaskomponente zugegeben wird.
    [0034] Der Gehalt der Glaskomponente wirdauf 0,05 Gewichtsteile oder höhereingestellt, so dass die dielektrische Konstante εr des Porzellansweiter verbessert werden kann. Aus diesem Grund beträgt der Gehalt derGlaskomponente 0,05 Gewichtsteile oder mehr und kann vorzugsweise0,10 Gewichtsteile oder mehr betragen. Ferner kann die dielektrischeKonstante εrverbessert werden, indem der Gehalt der Glaskomponente auf 20,0Gewichtsteile oder weniger verringert wird. Aus diesem Grund beträgt der Gehaltder Glaskomponente 20,00 Gewichtsteile oder weniger, und kann vorzugsweise15,00 Gewichtsteile oder weniger betragen.
    [0035] Die Glaskomponente ist nicht besondersbegrenzt und kann vorzugsweise eine der folgenden sein: ZnO-B2O3-SiO2,ZnO-Bi2O3-B2O3-SiO2,B2O3-SiO2, RO-B2O3-SiO2 (R stelltein Erdalkalimetall dar) , GeO2-B2O3, GeO2-B2O3-SiO2,GeO2-ZnO-B2O3-SiO2, GeO2-ZnO-B2O3, Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3, Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3, RO-Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3 (Rstellt ein Erdalkalimetall dar) , RO-Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3 (R stellt einErdalkalimetall dar) , Re2O-B2O3-SiO2 (Re stelltein Alkalimetall dar), Re2O-B2O3-ZnO-SiO2 (Re stelltein Alkalimetall dar) , Re2O-RO-B2O3-SiO2 Glas(Re stellt ein Alkalimetall dar und R stellt ein Erdalkalimetalldar), und Re2O-RO-B2O3-ZnO-SiO2 Glas (Restellt ein Alkalimetall dar und R stellt ein Erdalkalimetall dar).
    [0036] In einer bevorzugten Ausführungsformbesitzt die Glaskomponente eine Zusammensetzung von ZnO-B2O3-SiO2,wobei k(Gew.-%)ZnO·m(Gew.-%)B2O3·n(Gew.-%)SiO2 (10 ≤ k ≤ 85, 5 ≤ m ≤ 50, 2 ≤ n ≤ 60; k + m+ n = 100).
    [0037] In der vorstehenden Zusammensetzungkann die Verglasung der Zusammensetzung durchgeführt werden, indem der Gehalt(k) von ZnO auf 10 Gew.- oder höhererhöhtwird. Aus diesem Grund wird „k" auf 10 Gew.-% oderhöher eingestelltund kann vorzugsweise 20 Gew.-% oder höher sein. Ferner kann die Verglasungder Zusammensetzung durchgeführtwerden und die optimale Brenntemperatur der dielektrischen Porzellanzusammensetzungkann verringert werden, indem „k" auf 85 Gew.- oderhöher erhöht wird.Aus diesem Grund wird „k" auf 85 Gew.-% oderniedriger eingestellt, und kann vorzugsweise 80 Gew.-% oder niedrigerbetragen.
    [0038] Die Verglasung der Zusammensetzungkann durchgeführtwerden und die dielektrische Konstante εr kann verbessert werden, indemder Gehalt (m) von B2O3 auf5 Gew.-% oder höhererhöhtwird. Aus diesem Grund wird „m" auf 5 Gew.-% oderhöher eingestellt,und kann vorzugsweise 10 Gew.-% oder höher betragen. Ferner kann Qverringert werden, indem „m" auf 50 Gew.-% oderniedriger herabgesetzt wird. Aus diesem Grund wird „m" auf 50 Gew.-% oderniedriger eingestellt, und kann vorzugsweise 45 Gew.-% oder niedriger betragen.
    [0039] Ein Glas mit stabilen Eigenschaftenkann hergestellt werden, in dem SiO2 ineinen Gehalt von „n" von 2 Gew.-% odermehr zugegeben wird. Aus diesem Grund kann „n" vorzugsweise 5 Gew.-% oder mehr betragen.Andererseits kann die Verglasung der Zusammensetzung durchgeführt werdenund die Sintertemperatur der dielektrischen Porzellanzusammensetzungkann verringert werden, in dem SiO2 in einemGehalt „n" von 60 Gew.-% oderweniger zugegeben wird.
    [0040] Gemäß den zweiten und vierten Aspektender Erfindung werden 0,05 Gewichtsteile oder mehr und 10 Gewichtsteileoder weniger B2O3 indie Hauptzusammensetzung auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzungzugegeben. Die dielektrische Konstante εr und Q-Wert können verbessertwerden, in dem B2O3 ineinem Gehalt von 0,05 Gewichtsteilen oder mehr zugegeben wird. Ausdiesem Grund wird der Gehalt an B2O3 auf 0,05 Gewichtsteil oder mehr eingestellt,und kann vorzugsweise 0,1 Gewichtsteil oder mehr betragen. Fernerkönnendie dielektrische Konstante ε rund Q-Wert verbessert werden, in dem B2O3 in einen Gehalt von 10 Gewichtsteilen oderweniger zugegeben wird, und kann vorzugsweise 9 Gewichtsteile oderweniger betragen.
    [0041] In den ersten bis vierten Aspektender Erfindung ist jeder der Verhältnisse "x", "y", "z1", "z2", "z3" und "t" der Metalloxidkomponenten ein umgewandelterWert eines Gehalts von jedem in den entsprechenden Rohmaterial enthaltenemMetall, der als ein Gehalt des Metalloxids berechnet wird. Der umgewandelteWert des Gehalts von jedem Metall in einer Mischung der Rohmaterialienist abhängigvon dem gemischten Verhältnis derRohmaterialien. Gemäß der vorliegendenErfindung wird das gemischte Verhältnis der Rohmaterialien für die Metalleunter Verwendung einer Präzisionswaageabgewogen, um ein gemessenes Verhältnis zu erhalten, so dassdie umgewandelten Gehalte dann basierend auf dem gemessenen Verhältnis berechnetwerden.
    [0042] Die Hauptzusammensetzungen und Glaskomponentender dielektrischen Porzellanzusammensetzung gemäß den ersten bis vierten Aspektender Erfindung sind vorstehend beschrieben worden. Das andere Metallelementoder Elemente könnenin den Zusammensetzungen enthalten sein.
    [0043] Zum Beispiel kann die dielektrischeZusammensetzung ein oder mehrere Metalle enthalten, die aus derGruppe ausgewähltsind, die aus Ag, Cu und Ni in einer Gesamtmenge von 5 Gew.- oderweniger besteht. Es ist so möglich,dass τfVerhältnisweiter zu verringern.
    [0044] Die dielektrische Zusammensetzungkann ein oder mehrere Metalloxide, ausgewählt aus der Gruppe, die ausCuO, V2O5 und WO3 besteht, enthalten. In diesem Fall kannein Gesamtgehalt der Metalloxide vorzugsweise 0,0 bis 5.0 Gew.%betragen.
    [0045] Die dielektrische Zusammensetzungkann ferner wenigstens eines der Metalloxide aus Mg, Al, Si, Ca, Sc,Fe, Co, Ni, Zn, Ga, Se, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Hf und Mn in einerGesamtmenge von 5 Gew.- oder weniger enthalten.
    [0046] Die Materialien für eine Metallelektrode, diein dem elektronischen Teil gemäß der Erfindungverwendet wird, ist nicht besonders begrenzt. Ein derartiges Materialkann vorzugsweise Silber, Kupfer, Nickel oder die Legierungen dieserMetalle sein, weiter bevorzugt Silber oder die Legierung von Silber,und insbesondere bevorzugt Silber sein.
    [0047] Die elektronischen Teile, die durchdie ersten bis vierten Aspekte der vorliegenden Erfindung beabsichtigtsind, sind nicht besonders begrenzt, aber es werden beispielsweiseaufgezählt:laminierte dielektrische Filter, mehrfach beschichtete Schaltungsboards,dielektrische Antennen, dielektrische Koppler, dielektrische Kompositmodule,bulkartige dielektrische Filter etc.
    [0048] Die dielektrische Zusammensetzungzum Brennen bei einer niedrigen Temperatur kann bei einer Temperaturvon 1100°Coder weniger gesintert werden, weiter bevorzugt 1050°C oder wenigerbetragen, und am meisten bevorzugt 1000°C oder weniger.
    [0049] Die Porzellane gemäß den erstenbis vierten Aspekten der vorliegenden Erfindung können vorzugsweisewie folgt hergestellt werden. Ausgangsmaterialien für die jeweiligenMetallkomponenten werden in einem gegebenen Verhältnis vermischt, um ein gemischtesPulver zu erhalten. Das Pulver wird dann bei 1000 bis 1400°C calciniert,um ein calciniertes Pulver zu erhalten, welches dann zerkleinertwird, um keramisches Pulver zu erhalten. Vorzugsweise wird ein Grünblatt ausgebildet,indem das keramische Pulver und ein Glaspulver, das aus SiO2, B2O3 undZnO zusammengesetzt ist, verwendet wird, und das Grünblatt wirdbei 850 bis 930°Cgebrannt. Als die Ausgangsmaterialien für die jeweiligen Metalloxidkomponentenkann ein Oxid, ein Nitrat, ein Karbonat, ein Sulfat oder dergleichenfür jededer Metalle verwendet werden.
    [0050] Pulverförmige Rohmaterialien von Bariumkarbonat,Titanoxid, Neodymiumoxid, Bismuthoxid, Lanthanoxid und Samariumoxid,die jeweils eine hohe Reinheit besitzen, wurden in gegebenen Verhältnissen,die in Tabelle 2, 3 und 4 gezeigt wird, abgewogen, um ein gemischtesPulver zu erhalten. Das gemischte Pulver wurde in ein Polyethylengefäß mit Aluminiumoxidmediumgefülltund Wasser zugegeben, um das Pulver nass zu mischen. Die so erhalteneMischung wurde aus dem Gefäß entfernt,getrocknet, und in einen Aluminiumoxidtiegel gefüllt, um die Mischung bei verschiedenenTemperaturen von 900 bis 1270°C4 Stunden unter Luft zu calcinieren, um einen calcinierten Körper zuerhalten. Der calcinierte Körperwurde zerkleinert, in ein Polyethylengefäß mit Zirkoniumoxidmedium gefüllt undgemahlen bis der mittlere Korndurchmesser auf 0,1 bis 2,0 μm reduziertist, gemessen durch Laserdiffraktion Streuungsverfahren, um verschiedeneArten von calcinierten und zerkleinerten Zusammensetzung zu erhalten.
    [0051] Pulverförmige Rohmaterialien von Zinkoxid,Boroxid und Siliziumdioxid, die jeweils eine hohe Reinheit besitzen,wurden gemäß den inTabelle 1 gezeigten Verhältnissenabgewogen und vermischt, um ein gemischtes Pulver zu erhalten. Dasgemischte Pulver wurde dann in ein Polyethylengefäß mit Aluminiumoxidmedium gefüllt undtrocken vermischt. Die so erhaltene Mischung wurde in einen Schamott-Tiegelgeschmolzen und schnell abgefüllt,indem dieser in Wasser eingetaucht wurde, um die Verglasung durchzuführen. Dasso erhaltene Glas wurde in ein Aluminiumoxidgefäß mit Aluminiumoxidmedium gefüllt unddann gemahlen bis der mittlere Korndurchmesser auf 4 μm in Ethanolverringert ist, um jedes in Tabelle 1 gezeigte Glaspulver zu erhalten.
    [0052] Das Hauptzusammensetzungspulver undGlaspulver, wie vorstehend beschrieben, wurden wie in Tabellen 2bis 4 gezeigt formuliert. Die Formulierungen wurden in ein Polyethylengefäß mit Aluminiumoxidmediumgefülltund Wasser wurde zum nass vermischen zugegeben. 1 Gew.-% Polyvinylalkoholwurde als ein Bindemittel zur der Mischung im Hinblick auf ein Gesamtgewichtdes Pulvers der Hauptkomponente und Glaspulver zugegeben. Die soerhaltene Mischung wurde getrocknet und durch ein Sieb mit einemMaschendurchmesser von 355 μmgeführtund granuliert. „Glasgehalte", die in Tabellen2, 3 und 4 gezeigt werden, waren die Gehalte der Glaskomponentebezogen auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung.
    [0053] Das so erhaltene granulierte Pulverwurde unter Verbindung einer Pressformmaschine bei einer Tragespannungvon 1 t/cm2 geformt, um ein scheibenförmiges Teststück mit einemDurchmesser ⌀ von20 mm und einer Dicke von 15 mm zu erhalten. Das so erhaltene Teststück wurdefür zweiStunden bei 90°Cin Luft gesintert, um verschiedene Proben des dielektrischen Porzellansherzustellen. Ferner wurden die so erhaltenen gesinterten Probenzu einer Scheibe mit einem Durchmesser ⌀ von 16 mm und eine Dickevon 8 mm geschliffen, und die dielektrischen Eigenschaften wurdengemessen. Die dielektrische Konstante (εr) und Q wurden durch ein dielektrischesResonatorverfahren vom parallelen Leitertyp gemessen, und der Temperaturkoeffizient(τf) derResonanzfrequenz wurde in einem Bereich von –25°C bis 75°C gemessen. Die Messungen wurdenbei einer Frequenz von 2 bis 4 GHz durchgeführt. Die Ergebnisse wurdenin Tabellen 2, 3 und 4 gezeigt.
    [0054] Wie in Tabelle 2 gezeigt, kann diedielektrische Konstante εrverbessert werden, indem das Verhältnis „x" von BaO auf 0,070 oder höher erhöht wird.Ferner kann der Q-Wert verbessert werden und τf kann verringert werden, indem „x" auf 0,300 oder wenigerverringert wird.
    [0055] Wie in Tabelle 2 gezeigt, kann derQ-Wert verbessert werden und τfkann verringert werden, indem das Verhältnis „x" von TiO2 auf0,385 oder mehr erhöhtwird. Ferner kann die dielektrische Konstante εr verbessert werden, indem „y" auf 0,844 oder wenigerverringert wird.
    [0056] Wie in Tabelle 3 gezeigt, kann diedielektrische Konstante εrverbessert werden, indem das Verhältnis „z1" von Nd2O3 auf 0,010 bis 0,130 erhöht wird.
    [0057] Wie in Tabelle 3 gezeigt, kann diedielektrische Konstante εrverbessert werden, indem das Verhältnis „t" von Bi2O3 auf einen Wert erhöht wird, der 0,075 übersteigt.Ferner kann der Q-Wert verbessert werden und τf kann verringert werden, indem „t" auf 0,185 oder wenigerherabgesetzt wird.
    [0058] Wie in Tabelle 4 gezeigt, kann diedielektrische Konstante εrweiter verbessert werden, in dem La2O3 zugegeben wird. Ferner kann der Q-Wertverbessert werden und τfkann verringert werden, indem „z2" auf 0,120 oder wenigerverringert wird.
    [0059] Wie in Tabelle 4 gezeigt, kann diedielektrische Konstante εrund der Q-Wert verbessert werden und τf kann verringert werden, indem Sm2O3 in einerMenge von 0,120 oder weniger zugegeben wird.
    [0060] Porzellane werden gemäß dem gleichenVerfahren wie bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie in dem Experiment 1 gemessen. Zusammensetzungen A1 bisA18 der Glaskomponenten wurden in Tabelle 1 gezeigt. Die Verhältnisseder Metallelemente und Glaszusammensetzungen wurden in Tabellen5 und 6 gezeigt. Die unter Verwendung der GlaszusammensetzungenA1 bis A14 erhaltenen Ergebnisse wurden in Tabelle 5 gezeigt, unddie unter Verwendung der Glaszusammensetzungen A15 bis A18 erhaltenenErgebnisse wurden in Tabelle 6 gezeigt.
    [0061] Wie aus Tabellen 5 und 6 ersichtlichist, könnendie dielektrische Konstante εrund die Q-Werte verbessert werden und τf kann verringert werden, indemdie Glaszusammensetzungen gemäß der vorliegenden Erfindungverwendet werden.
    [0062] Porzellane wurden gemäß dem gleichenVerfahren wie bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie in dem Experiment 1 gemessen. Die GlaszusammensetzungA3 wurde verwendet und das Verhältnisder Inhaltstoffe wurde wie in Tabelle 6 gezeigt verändert. Eskann aus den Ergebnissen ersehen werden, dass die dielektrischeKonstante εrund die Q-Werte verbessert werden können und τf verringert werden kann, indemder Glasgehalt auf 0,05 bis 20 Gewichtsteile eingestellt wird.
    [0063] Porzellane wurden gemäß dem gleichenVerfahren wie bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie bei dem Experiment 1 gemessen. Die Glaszusammensetzungwurde wie in Tabelle 7 gezeigt geändert und das Verhältnis derMetalloxide und Glaszusammensetzung wurden wie in Tabelle 8 gezeigtgeändert.Wie aus den Ergebnissen ersichtlich ist, können in dem erfindungsgemäßen Bereichdie dielektrische Konstante εrund die Q-Werte verbessert werden und τf kann verringert werden.
    [0064] Porzellane wurden gemäß dem gleichenVerfahren wie bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie bei dem Experiment 1 gemessen. Bi2O3 wurde als die Glaskomponente zugegeben undder Gehalt wurde wie in der Tabelle 9 gezeigt geändert. Die Zusammensetzungder Metalloxide wurde zu dem wie in der Tabelle 9 gezeigt geändert. Folglichkann die dielektrische Konstante εrund die Q-Werte verbessert werden und τf kann verringert werden, indem0,01 Gew.- und mehr Bi2O3 zugegebenwird.
    [0065] Porzellane wurden gemäß dem gleichenVerfahren wie bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie bei dem Experiment 1 gemessen. Die GlaszusammensetzungA3 wurde in einem Gehalt von 1,5 Gew.-% verwendet. Das Verhältnis derMetalloxide wurde wie in Tabelle 10 gezeigt geändert. Silber, Kupfer und Nickelwurden zu der Hauptkomponente wie in Tabelle 10 gezeigt zugegeben.
    [0066] Folglich können die dielektrische Konstante εr und derQ-Wert verbessertwerden und τfkann verringert werden, wenn Silber, Kupfer oder Nickel zu der Hauptzusammensetzungzugegeben wird.
    [0067] Porzellane wurden gemäß dem gleichenVerfahren die bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie bei dem Experiment 1 gemessen. Die GlaszusammensetzungA3 wurde in einem Gehalt von 1,5 Gew.-% verwendet. Das Verhältnis derMetalloxide wurde wie in Tabelle 10 gezeigt geändert. Kupferoxid, Vanadiumoxidoder Wolframoxid wurde zu der Hauptkomponente, wie in Tabelle 11gezeigt zugegeben.
    [0068] Folglich können die dielektrische Konstante εr und derQ-Wert verbessertwerden und τfkann verringert werden, wenn Kupferoxid, Vanadiumoxid oder Wolframoxidzu der Hauptzusammensetzung zugegeben wurde.
    [0069] Porzellane wurden gemäß dem gleichenVerfahren wie bei dem Experiment 1 hergestellt und die Eigenschaftenwurden wie bei dem Experiment 1 gemessen. Die GlaszusammensetzungA3 wurde in einem Gehalt von 2,5 Gew.- verwendet. Das Verhältnis derMetalloxide wurde wie in Tabellen 12 und 13 geändert. Die Ergebnisse wurdenin Tabellen 12 und 13 gezeigt.
    [0070] In der Zusammensetzung Nr. C1 wardas Verhältnis „x" von BaO derart niedrig,dass die dielektrische Konstante εrverringert war. In Zusammensetzungsziffern C2 bis C6, kann die dielektrischeKonstante εrund Q verbessert werden und der Temperaturkoeffizient (τf) der Resonanzfrequenzkann bei einem niedrigen Wert beibehalten werden. In Ziffer C7 wardas Verhältnis „x" von BaO groß und dasVerhältnis „t" von Bi2Owar derart niedrig, dass Q verringert werden kann. In Ziffer C8war das Verhältnis „y" von TiO2 derartniedrig, dass Q verringert war. In Ziffer C9 war das Verhältnis „y" von TiO2 hoch,so dass Q verringert war. In Ziffer C9 war das Verhältnis „y" von TiO2 hoch,so dass die dielektrische Konstante εr verringert war. In ZifferC10 war (z1 + z2 + z3) derart, dass die dielektrische Konstante εr verringertwar. In Ziffer C11 war das Verhältnis „z1" von Nd2O3 derart niedrig, dass der Temperaturkoeffizient(τf) derResonanzfrequenz groß war.In Ziffer C12 war a/(z1 + z2 + z3) niedrig und das Verhältnis „t" von Bi2O3 derart niedrig, dass die dielektrischeKonstante εrverringert war. In Ziffern C13 bis C16 können die dielektrische Konstante εr und Q verbessertwerden und der Temperaturkoeffizient (τf) der Resonanzfrequenz können beieinem niedrigen Wert beibehalten werden. In Ziffer C17 war das Verhältnis „z1" von Nd203 derart niedrig, dass der Temperaturkoeffizient(τf) derResonanzfrequenz groß war.In Ziffer C18 war a/(z1 + z2 + z3) und das Verhältnis „t" von Bi2O3 niedrig, so dass die dielektrische Konstante εr herabgesetztwar.
    [0071] Die vorstehend beschrieben stelltdie vorliegende Erfindung eine dielektrische Zusammensetzung zumBrennen bei einer niedrigen Temperatur bereit, die eine hohe dielektrischeKonstante εr,einen hohen Q-Wert und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten τf der Resonanzfrequenzaufweist.
    [0072] Die vorliegende Erfindung ist Bezugnehmend auf bevorzugte Ausführungsformerläutertworden, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die veranschaulichtenAusführungsformbegrenzt, welche nur als ein Erläuterungsbeispielangegeben wurden, und kann auf verschiedene Weise ausgeführt werden,ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen.
    [0073] Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindungist es, eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei einerniedrigen Temperatur bereit zu stellen, die eine hohe dielektrischeKonstante εr,einen hohen Q-Wert, und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten τf der Resonanzfrequenzaufweist. Eine dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigenTemperaturen umfasst eine Hauptzusammensetzung von x·BaO – y·TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3·Sm2O3 – t·Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,070 ≤ x ≤ 0,300; 0,385 ≤ y ≤ 0,844; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,130; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 0,120;0,075 < t ≤ 0,185), undeine Glaskomponente, die 0,1 Gew.-% oder mehr B2O3 in einer Menge von 0,05 bis 20 Gewichtsteilenbezogen auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung umfasst.
    权利要求:
    Claims (24)
    [1] Dielektrische Zusammensetzung zum Brennen beiniedrigen Temperaturen, die umfasst: eine Hauptzusammensetzungaus x·BaO – y·TiO2 – z1· Nd2O3 – z2·La2O3 – z3·Sm2O3 – t·Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,070 ≤ x ≤ 0,300; 0,385 ≤ y ≤ 0,844; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,130; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,075 < t ≤ 0,185) undeine Glaskomponente, die 0,1 Gew.-% oder mehr B2O3 in einer Menge von 0,05 bis 20 Gewichtsteilenbezogen auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung umfasst.
    [2] Dielektrische Zusammensetzung von Anspruch 1, wobeidie Glaskomponente aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus den folgendenZusammensetzungen besteht: ZnO-B2O3-SiO2, ZnO-Bi2O3-B2O3-SiO2, B2O3-SiO2,RO-B2O3-SiO2 (R stellt ein Erdalkalimetall dar) , GeO2-B2O3,GeO2-B2O3-SiO2, GeO2-ZnO-B2O3-SiO2, GeO2-ZnO-B2O3, Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3, Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3, RO-Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3 (Rstellt ein Erdalkalimetall dar), RO-Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3 (R stellt einErdalkalimetall dar), Re2O-B2O3-SiO2 (Re stelltein Alkalimetal1 dar), Re2O-B2O3-ZnO-SiO2 (Re stelltein Alkalimetall dar), Re2O-RO-B2O3-SiO2 Glas(Re stellt ein Alkalimetall dar und R stellt ein Erdalkalimetalldar), und Re2O-RO-B2O3-ZnO-SiO2 Glas (Restellt ein Alkalimetall dar und R stellt ein Erdalkalimetall dar).
    [3] Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 2, wobeidie Glaskomponente eine Glaskomponente ZnO-B2O3-SiO2 umfasst, diefolgende Zusammensetzung besitzt: k(Gew.-%)ZnO·m(Gew.-%)B2O3·n(Gew.-%)SiO2 (10 ≤ k ≤ 85, 5 ≤ m ≤ 50, 2 ≤ n ≤ 60; k + m+ n = 100).
    [4] Dielektrische Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis3, die ein oder mehrere Metallelemente, die aus der aus Ag, Cu undNi bestehenden Gruppe ausgewähltsind, in einer Gesamtmenge von 5 Gew.- oder weniger umfasst.
    [5] Dielektrische Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis4, die eines oder mehrere Metalloxide umfasst, die aus der Gruppeausgewähltsind, die aus CuO, V2O5 undWo3 besteht.
    [6] Elektronisches Teil, das die dielektrische Zusammensetzungnach einem der Ansprüche1 bis 5 umfasst.
    [7] Elektronisches Teil nach Anspruch 6, das ein dielektrischerFilter vom Laminattyp ist.
    [8] Dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigenTemperaturen, die eine Hauptzusammensetzung aus x·BaO – y· TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3·Sm2O3 – t·Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,070 ≤ x ≤ 0,300; 0,385 ≤ y ≤ 0,844; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,130; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,075 < t ≤ 0,185) undB2O3 in einer Mengevon 0,05 bis 10 Gewichtsteilen auf 100 Gewichtsteile der Hauptzusammensetzung umfasst.
    [9] Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 8, dieeines oder mehre Metallelemente, die aus der Gruppe ausgewählt sind,die aus Ag, Cu und Ni besteht, in einer Gesamtmenge von 5 Gew.-oder weniger umfasst.
    [10] Dielektrisch Zusammensetzung nach Anspruch 8 oder9, die eines oder mehrere Metalloxide umfasst, die aus der Gruppeausgewähltsind, die aus CuO, V2O5 undWO3 besteht.
    [11] Elektronisches Teil, das die dielektrische Zusammensetzunggemäß einemder Ansprüche8 bis 10 umfasst.
    [12] Elektronisches Teil nach Anspruch 11, das ein dielektrischerFilter vom Laminattyp ist.
    [13] Dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigenTemperaturen, die eine Hauptzusammensetzung aus x·BaO – y· TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3· – Sm2O3 – t· – Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,100 ≤ x ≤ 0,250; 0,600 ≤ y ≤ 0,750; 0,010 ≤ z1 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,010 ≤ (z1 + z2 +z3) ≤ 0,120;0,065 ≤ t ≤ 0,075; 0,35 ≤ t/(z1 + z2+ z3 + t), und eine Glaskomponente, die 0,1 Gewichtsteile oder mehrB2O3 enthält, in einerMenge von 0,05 bis 20 Gewichtsteile bezogen auf 100 Gewichtsteileder Hauptzusammensetzung umfasst.
    [14] Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 13,wobei die Glaskomponente aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus den folgendenZusammensetzungen besteht: ZnO-B2O3-SiO2, ZnO-Bi2O3-B2O3-SiO2, B2O3-SiO2,RO-B2O3-SiO2 (R stellt ein Erdalkalimetall dar), GeO2-B2O3,GeO2-B2O3-SiO2, GeO2-ZnO-B2O3-SiO2, GeO2-ZnO-B2O3, Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3, Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3, RO-Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3 (Rstellt ein Erdalkalimetall dar), RO-Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3 (R stellt einErdalkalimetall dar), Re2O-B2O3-SiO2 (Re stelltein Alkalimetall dar), Re2O-B2O3-ZnO-SiO2 (Re stelltein Alkalimetall dar) , Re2O-RO-B2O3-SiO2 Glas(Re stellt ein Alkalimetall dar und R stellt ein Erdalkalimetalldar), und Re2O-RO-B2O3-ZnO-SiO2 Glas (Restellt ein Alkalimetall dar und R stellt ein Erdalkalimetall dar).
    [15] Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 14,wobei die Glaskomponente eine Glaskomponente aus ZnO-B2O3-SiO2 umfasst, diefolgende Zusammensetzung besitzt: k(Gew.-%)ZnO·m(Gew.-%)B2O3·n(Gew.-%)SiO2 (10 ≤ k ≤ 85, 5 ≤ m ≤ 50, 2 ≤ n ≤ 60; k + m+ n = 100).
    [16] Dielektrische Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 13 bis15, die eines oder mehrere Metallelemente, die aus der Gruppe ausgewählt sind,die aus Ag, Cu und Ni besteht, in einer Gesamtmenge von 5 Gew.-oder weniger umfasst.
    [17] Dielektrische Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 13 bis16, die eines oder mehrere Metalloxide umfasst, die aus der Gruppeausgewähltsind, die aus CuO, V2O5 undWO3 besteht.
    [18] Elektronisches Teil, das die dielektrische Zusammensetzungnach einem der Ansprüche13 bis 17 umfasst.
    [19] Elektronisches Teil nach Anspruch 18, das ein dielektrischerFilter von Laminattyp ist.
    [20] Dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigenTemperaturen, die eine Hauptzusammensetzung aus x·BaO – y· TiO2 – z1·Nd2O3 – z2·La2O3 – z3· – Sm2O3 – t·Bi2O3 (x + y + z1 +z2 + z3 + t = 1; 0,100 ≤ x ≤ 0,250; 0,600 ≤ y ≤ 0,750; 0,010 ≤ z1 < 0,120; 0,000 ≤ z2 ≤ 0,120; 0,000 ≤ z3 ≤ 0,120; 0,010 ≤ (z1 + z2 +z3) ≤ 0,120;0,065 ≤ t ≤ 0,075; 0,35 ≤ t/(z1 + z2+ z3 + t), und eine Glaskomponente, die 0,1 Gewichtsteile oder mehrB2O3 enthält, in einerMenge von 0,05 bis 10 Gewichtsteile bezogen auf 100 Gewichtsteileder Hauptzusammensetzung umfasst.
    [21] Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 20,die eines oder mehrere Metallelemente umfasst, die aus der Gruppeausgewähltsind, die aus Ag, Cu und Ni besteht in einer Gesamtmenge von 5 Gew.-%oder weniger.
    [22] Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 20 oder21, die eines oder mehrere Metalloxide umfasst, die aus der Gruppeausgewähltsind, die aus CuO, V2O5 undWO3 besteht.
    [23] Elektronisches Teil, das die dielektrische Zusammensetzungnach einem der Ansprüche20 bis 22 umfasst.
    [24] Elektronisches Teil nach Anspruch 23, das ein dielektrischerFilter vom Laminattyp ist.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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